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- 2023-06-05 发布于四川
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本发明提供了一种MEMS麦克风的制造方法，通过在贯穿半导体层的开口的侧壁上覆盖钝化层和第二介质层，且使得所述钝化层暴露出所述开口底壁上的第一介质层，并暴露出所述开口的底角处与所述第一介质层相接的部分半导体层，以及使得所述第二介质层覆盖在所述开口底角处暴露出的半导体层的侧壁上，且膜厚自上而下逐渐降低，由此，可以在所述钝化层的保护下，能够通过同一道各向同性刻蚀工艺刻蚀去除所述第二介质层并将所述开口的底角刻蚀为圆角，从而在振膜向着半导体层运动且接触该圆角时能形成面接触，避免振膜因接触开口尖锐的底角而破
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112738704 A
(43)申请公布日 2021.04.30
(21)申请号 202110353215.1
(22)申请日 2021.04.01
(71)申请人 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司
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