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一种半导体结构及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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一种半导体结构及其制造方法.pdf

    一种半导体结构及其制造方法，解决了现有半导体结构的制造工艺复杂以及稳定性差和可靠性差的问题。其中的半导体结构包括：依次制备的沟道层(23)以及势垒层(24)；形成于所述势垒层(24)上的成分变化层(3)，所述成分变化层(3)的表面上定义有栅极区域，所述成分变化层(3)的材料包括至少一种成分变化元素；以及形成于所述成分变化层(3)的所述栅极区域的p型半导体材料(5)。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112753096 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 201880096935.0 (51)Int.Cl.

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