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- 2023-06-05 发布于四川
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本发明公开一种具有垂直磁各向异性的异质结及其制备方法,其中,所述制备方法包括步骤:对单晶衬底进行退火处理,备用;在真空条件下,以Re3Fe5O12陶瓷靶作为靶材,采用磁控溅射的方式在所述单晶衬底上制备Re3Fe5O12薄膜;在室温条件下,采用磁控溅射的方式在所述Re3Fe5O12薄膜表面制备重金属层,制得所述具有垂直磁各向异性的异质结。本发明方法制备简单,而且经济适用,且可制得大面积的Re3Fe5O12薄膜,适合用于工业生产,为Re3Fe5O12材料在随机存储器件领域的应用提供了可能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112746257 B
(45)授权公告日 2023.04.11
(21)申请号 202011535692.1 C23C 14/18 (2006.01)
(22)申请日 2
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