晶体生长装置及晶体生长方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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本公开涉及晶体生长装置及晶体生长方法。本实施方式的晶体生长装置具备:坩埚;加热器,设置于所述坩埚的外侧,包围所述坩埚;及线圈,设置于所述加热器的外侧,包围所述加热器,所述加热器的所述坩埚侧的内表面具备第1区域和比所述第1区域远离所述坩埚的外侧面的第2区域。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112746315 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011101116.6 (22)申请日 2020.10.15 (30)优先权数据 2019-1974

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