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半导体装置的形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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半导体装置的形成方法.pdf

    此处公开半导体装置与半导体装置的形成方法，更特别关于含有全绕式栅极晶体管结构的半导体装置与其制造方法。此处所述的方法可将复合形状(如L形)蚀刻成多层堆叠，以形成全绕式栅极纳米结构晶体管结构的主动区所用的鳍状物。在一些实施例中，主动区可具有第一通道宽度与第一宽度的第一源极/漏极区，以及第二通道宽度与小于第一宽度的第二宽度的第二源极/漏极区。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750909 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011104805.2 H01L 29/423 (2006.01)

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