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一种半导体磷化物注入合成系统的控制方法.pdfVIP

一种半导体磷化物注入合成系统的控制方法.pdf

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    一种半导体磷化物注入合成系统的控制方法，属于半导体磷化物的制备技术领域，基于半导体磷化物注入合成系统来实现，所述半导体磷化物注入合成系统包括炉体、设置在炉体上方的屏蔽承载箱、设置在屏蔽承载箱内的磷源承载器、设置在磷源承载器下方的注入管以及配套设置在炉体内底部的坩埚，在磷源承载器和屏蔽承载箱内壁之间设置感应线圈，所述坩埚外壁环绕设置主电阻加热器，所述磷源承载器上端面设置测压系统。通过对方法本身进行改进，可提高的稳定性，可使得整个合成系统进行定量合成，降低了磷源承载器爆炸的危险。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112708935 B (45)授权公告日 2021.12.07 (21)申请号 202011543426.3 (51)Int.Cl.

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