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一种砷化镓基LED芯片的制作方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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一种砷化镓基LED芯片的制作方法.pdf

    本发明实施例公开了一种砷化镓基LED芯片的制作方法，包括在外延片表面P型层制作欧姆接触层；对完成欧姆材料制备的外延片进行热退火处理；在所述欧姆接触层表面制作P电极；将所述外延片固定到热解膜上，将外延片的衬底研磨至需要厚度，对研磨面进行去离子水冲洗；对研磨后的外延片进行N面蒸镀，蒸镀温度为180‑300℃；对蒸镀完成的晶片进行N面合金，合金温度为360‑380℃，合金过程中，所述热解膜脱落；对热解膜脱落的晶片进行半切测试，得到芯粒参数；对半切测试后的晶片进行全切操作，形成独立的芯粒。本发明进行研磨

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112750921 B (45)授权公告日 2022.03.11 (21)申请号 201911042680.2 (56)对比文件

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