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集成芯片.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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集成芯片.pdf

    在一些实施例中，本公开涉及一种集成芯片，其包括第一纳米片场效晶体管(nanosheetfieldeffecttransistor，NSFET)。第一NSFET包括：第一纳米片通道结构，排列于基板上；第二纳米片通道结构，直接排列于第一纳米片通道结构上；以及第一栅极结构。第一纳米片通道结构及第二纳米片通道结构在第一及第二源极/漏极区之间平行延伸。第一栅极结构包括第一导电环及第二导电环，分别完全包围第一纳米片通道结构及第二纳米片通道结构的多个外侧壁，且第一栅极结构包括第一材料。第一栅极结构也包括

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750910 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011187561.9 H01L 29/06 (2006.01)

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