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集成芯片结构及其形成方法、多维集成芯片.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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集成芯片结构及其形成方法、多维集成芯片.pdf

    在一些实施例中，本发明涉及一种形成集成芯片结构的方法。可以通过在设置在第一半导体衬底的上表面上方的第一互连结构内形成多个互连层来执行该方法。执行边缘修整工艺以沿着第一半导体衬底的周边去除第一互连结构和第一半导体衬底的部分。边缘修整工艺产生具有凹进表面的第一半导体衬底，凹进表面通过直接设置在第一半导体衬底上方的内侧壁耦合至上表面。在执行边缘修整工艺之后，在第一互连结构的侧壁上形成介电覆盖结构。本发明的实施例还涉及集成芯片结构和多维集成芯片。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750707 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011197152.7 (22)申请日 2020.10.30 (30)优先权数据

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