原创力文档- 4
- 0
- 约8.69千字
- 约 10页
- 2023-06-05 发布于四川
- 举报
本申请提供一种半导体基片的加工方法，该方法包括：向放置有半导体基片的反应腔内通入刻蚀用气体，对所述半导体基片进行反应离子刻蚀处理；以及在所述反应离子刻蚀结束后，向所述反应腔内通入氧气，并在所述反应腔内生成氧等离子体。根据本申请，在反应离子式刻蚀结束后使用氧等离子体对反应离子式刻蚀机的腔体进行清洁，由此，能够延长反应离子式刻蚀机的保养周期并且不影响产出品质。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112713085 A
(43)申请公布日
2021.04.27
(21)申请号 20191
文档评论（0）