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一种具有应变预置层结构的近红外LED及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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一种具有应变预置层结构的近红外LED及其制作方法.pdf

    本发明提供一种具有应变预置层结构的近红外LED及其制作方法，该近红外LED的外延片从衬底由下往上依次生长有N‑GaAs缓冲层、N‑GaInP腐蚀截止层、N‑GaAs接触层、N‑GaInP电极强化层、N‑AlxGa1‑xAs电流扩展层、N‑AlxGa1‑xAs限制层、N‑GaxIn1‑xP应变预置层、第一AlxGa1‑xAsSpace层、有源层、第二AlxGa1‑xAsSpace层、P‑AlxGa1‑xAs限制层、P‑AlxGa1‑xAs电流扩展层、P‑过渡层和P‑GaP接触层。本发明通过在传

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112736172 B (45)授权公告日 2021.07.06 (21)申请号 202110344031.9 H01L 33/06 (2010.01)

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