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负载纳米薄膜改善烧结NdFeB晶界扩散的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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负载纳米薄膜改善烧结NdFeB晶界扩散的方法.pdf

    本发明公开了一种负载纳米薄膜改善烧结NdFeB晶界扩散的方法，包括：1)制备烧结钕铁硼的黑片；2)采用磁控溅射方法对烧结钕铁硼黑片进行负载TiO2纳米晶体薄膜的制备：采用陶瓷TiO2靶，本底真空度低于3.5×10‑4Pa时开始溅射，氩气作为溅射气体，溅射过程中进行冷却；3)将负载TiO2纳米晶体薄膜的烧结钕铁硼黑片浸入含有铽和/或镝的悬浊液中采用涂覆法进行晶界扩散；4)晶界扩散完成后，进行热处理，热处理结束后，冷却到室温完成渗透过程。本发明将具有吸附特性的纳米材料与涂覆工艺耦合起来，增强了涂层的

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112750611 B (45)授权公告日 2022.04.26 (21)申请号 202010097766.1 (56)对比文件 (22)申请日 2020.02.17

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