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沟槽型场效应晶体管结构及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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沟槽型场效应晶体管结构及其制备方法.pdf

    本发明提供一种沟槽型场效应晶体管及制备方法，制备方法包括：提供衬底，形成外延层；形成第一器件沟槽；形成侧壁氧化层；基于侧壁氧化层对外延层刻蚀形成第二器件沟槽；去除侧壁氧化层形成栅介质层、栅极层、体区；于第一器件沟槽中填充遮蔽介质层，基于遮蔽介质层形成源区和自对准的源极接触孔；形成源极电极结构和下电极结构。本发明在形成栅极沟槽刻蚀时，先形成开口较大的第一器件沟槽，并继续刻蚀形成了开口较小的第二器件沟槽，在第一器件沟槽中形成遮蔽介质层，通过工艺设计在器件的有源区形成自对准的源极接触孔，元胞的横向尺寸

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750897 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 20191

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