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一种用于STT-MRAM中的读写控制电路.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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一种用于STT-MRAM中的读写控制电路.pdf

    本发明涉及集成电路技术领域，具体公开了一种用于STT‑MRAM中的读写控制电路，其中，包括多行读写控制单元，每行读写控制单元均包括：写电路，与存储阵列连接，用于根据控制信号控制输入数据是否写入存储阵列；读出电路，与存储阵列连接，用于读出存储阵列中的存储数据；存储阵列，用于控制存储单元的选通，并将写电路写入的输入数据存储至选通的存储单元中以形成存储数据；比较器，分别与写电路和锁存器连接，用于将锁存器中暂存的存储数据与输入数据进行比较，生成控制信号；锁存器，用于获取读出电路读取的存储数据，并将存储数

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112767981 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202110260223.1 (22)申请日 2021.03.10 (71)申请人 中电海康无锡科技有限公司

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