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- 2023-06-06 发布于四川
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本发明提供一种三维存储器的制作方法，包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底；所述半导体结构包括核心区和虚拟区；所述半导体结构还包括覆盖所述核心区和所述虚拟区的第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成伪底部选择栅极层；去除所述虚拟区的伪底部选择栅极层，保留所述核心区的伪底部选择栅极层；在所述衬底的所述虚拟区形成第二绝缘层；以及在半导体结构上表面形成堆叠层。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112768468 A
(43)申请公布日 2021.05.07
(21)申请号 202110090323.4
(22)申请日 2021.01.22
(71)申请人 长江存储科技有限责任公司
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