用低电阻率金属填充半导体器件中的凹陷特征的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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用低电阻率金属填充半导体器件中的凹陷特征的方法.pdf

披露了一种用低电阻率金属填充凹陷特征的方法。该方法包括:提供图案化衬底,该图案化衬底包含形成在第一层中的凹陷特征和暴露在该凹陷特征中的第二层;并且用表面改性剂预处理该衬底,该表面改性剂增大在该第二层上相对于在该第一层上的金属沉积选择性;通过气相沉积将金属层沉积在该衬底上,其中该金属层优先地沉积在该凹陷特征中的第二层上;以及移除沉积在该第一层上、包括沉积在场区域上和该第一层的位于该凹陷特征中的侧壁上的金属核,以在该凹陷特征中的第二层上选择性地形成该金属层。该预处理、沉积和移除的步骤可以重复至少一次

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112805818 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 201980066266.7 罗伯特 ·克拉克 

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