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沟槽结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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沟槽结构及其形成方法.pdf

    本发明涉及一种沟槽结构及其形成方法；所述方法包括在基体的上表面形成图形化牺牲层，图形化牺牲层包括若干个牺牲单元；在牺牲单元的侧壁形成刻蚀掩膜层；位于相邻牺牲单元之间的刻蚀掩膜层之间具有开口间隙；在开口间隙内形成刻蚀延缓牺牲层；在相同刻蚀条件下，刻蚀延缓牺牲层与图形化牺牲层具有不同的刻蚀去除速率；基于刻蚀掩膜层去除图形化牺牲层及刻蚀延缓牺牲层，并刻蚀基体，以在基体内形成具有不同深度的沟槽，由于图形化牺牲层和延缓牺牲层被刻蚀的速率不同，刻蚀去除速率快的先被刻蚀掉，刻蚀去除速率慢的后别刻蚀掉，继续刻蚀

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112802746 B (45)授权公告日 2022.03.08 (21)申请号 201911030587.X (56)对比文件

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