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一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片.pdf

    本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，通过至少在一势垒层靠近所述第一型半导体层的一侧表面依次设有降温层和深阱层，至少在一势垒层靠近所述第二型半导体层的一侧表面依次设有浅阱层和升温层；其中，所述降温层、升温层用于所述势垒层与势阱层之间的生长温度过渡；所述深阱层、浅阱层用于对所述势垒层的电子限制。通过生长温度的控制，可有效释放势垒层与势阱层之间的应力；同时，在势阱层前后两端进一步形成阱类结构，有利于加强对势垒层的电子限制，从而提高其内量子效率。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768578 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202110176774.X (22)申请日 2021.02.07 (71)申请人 厦门乾照光电股份有限公司

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