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- 2023-06-06 发布于四川
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本发明公开了一种实现铌酸锂晶体表面导电的制备方法，具体方法包括以下步骤，S1化学清洗铌酸锂晶体基片表面；S2，在铌酸锂晶体基片表面生长一层金属薄膜层；S3，将铌酸锂晶体基片放入热处理炉中，在氩气和氢气混合气体气氛中恒温退火处理，退火处理完成后，使铌酸锂晶体基片降温至室温25℃；S4，将铌酸锂晶体基片置于强酸溶液浸泡，然后超纯水冲洗去除表面剩余金属薄膜层，最后甩干铌酸锂晶体基片。本方法可与现有集成电路生产工艺流程及工艺设备结合，适合规模化生产，且各步骤流程化，操作简单方便，安全可靠，并可通过精确调
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112760595 A
(43)申请公布日 2021.05.07
(21)申请号 202011525028.9
(22)申请日 2020.12.22
(71)申请人 上海复存信息科技有限公司
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