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形成薄层的方法及使用其制造非易失性存储器装置的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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形成薄层的方法及使用其制造非易失性存储器装置的方法.pdf

    形成薄层的方法及使用其制造非易失性存储器装置的方法。一种制造非易失性存储器装置的方法包括在具有源极层的半导体基板上形成栅极绝缘层。该方法还包括在栅极绝缘层上形成具有经缓冲处理的上表面的氮化硅层，其中，氮化硅层的经缓冲处理的上表面的硬度高于氮化硅层的硬度。方法还包括在氮化硅层的经缓冲处理的上表面上形成氧化硅层。方法附加地包括在氧化硅层上交替地形成附加的氮化硅层和附加的氧化硅层以形成层叠结构。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112802851 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 20201

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