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用于制备射频半导体器件的方法及其结构.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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用于制备射频半导体器件的方法及其结构.pdf

    本申请实施例公开了一种用于制备射频半导体器件的方法及其结构，该方法包括在衬底上制备缓冲层，并在缓冲层上外延形成异质结构，异质结构用于射频高电子迁移率晶体管，异质结构中形成有二维电子气导电沟道；在异质结构的上表面沉积第一介质层，并在第一介质层的上表面通过刻蚀工艺形成射频半导体器件的参考栅极；或者，在异质结构的上表面通过刻蚀工艺形成参考栅极；其中，参考栅极用于制备射频半导体器件，参考栅极包括第一薄膜层和第二介质层，第二介质层置于第一薄膜层的上表面。可见，本申请实施例有利于制备出低成本高产量、高性能和

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768359 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202011645232.4 (22)申请日 2020.12.31 (71)申请人 深圳市汇芯通信技术有限公司

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