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- 2023-06-06 发布于四川
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一种晶体生长方法，对生长氧化物晶体各反应物料进行第一预处理后进行称重；对晶体生长装置的至少一个部件进行装配前处理后，将执行过第二预处理的反应物料置于所述晶体生长装置内，所述晶体生长装置的至少一个部件包括埚(214)；所述装配前处理至少包括对所述埚(214)的涂层保护、酸液泡洗、异物清洁中的一种或多种；晶体生长装置密闭后内部通入流动气体；在晶体生长过程中实时向所述晶体生长装置内加入反应物料补充料。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112771213 A
(43)申请公布日 2021.05.07
(21)申请号 202080004460.5 C30B 29/22 (2006.01)
(22)申请日 2
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