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一种高质量低缺陷碳化硅单晶、其制备方法及应用.pdfVIP

一种高质量低缺陷碳化硅单晶、其制备方法及应用.pdf

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    本发明提供了一种高质量低缺陷碳化硅单晶片，且含有氮；碳面中的氮浓度低于硅面中的氮浓度，且氮浓度在晶片厚度方向上，随着距碳面的距离的增大而增加。本发明中的碳化硅单晶晶片能够保证向碳面凸起弯曲。此种向碳面凸起弯曲的结构在晶体切割和晶片加工过程中得以保留，并与加工应力抵消，可获得残余应力较小的碳化硅单晶晶片，同时有利于减小晶片位错，还保证了外延层的缺陷密度在较低水平。本发明还提供了一种高质量低缺陷碳化硅单晶的制备方法及应用。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112779603 A (43)申请公布日 2021.05.11 (21)申请号 202011535254.5 (51)Int.Cl.

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