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- 2023-06-06 发布于四川
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本发明涉及晶圆刻蚀的技术领域,特别是涉及晶圆背面减薄金属化工艺的一种晶圆刻蚀清洗设备及方法,其提高镀膜膜层粘附性,减少晶圆变形量;包括以下步骤:步骤1、对晶圆无需金属镀膜的正面进行贴膜保护;步骤2、对晶圆需要金属镀膜的背面进行研磨;步骤3、通过真空等离子对研磨后的晶圆背面进行刻蚀,使晶圆背面表面粗糙化,同时降低应力;步骤4、对刻蚀后的晶圆进行清洗;步骤5、将清洗后的晶面正面保护膜揭除;步骤6、对刻蚀清洗后的晶圆背面进行金属镀膜。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115732321 A
(43)申请公布日 2023.03.03
(21)申请号 202211513686.5
(22)申请日 2022.11.30
(71)申请人 深圳泰研半导体装备有限公司
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