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一种基于石墨烯上InGaN纳米柱光电极无偏压光电化学制氢系统与应用.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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一种基于石墨烯上InGaN纳米柱光电极无偏压光电化学制氢系统与应用.pdf

    本发明公开了一种基于石墨烯上InGaN纳米柱光电极无偏压光电化学制氢系统与其应用。该体系包括光阳极、光阴极、电解液、光源、电解池，所述的光阳极结构从下至上依次为衬底、衬底上的石墨烯、生长在石墨烯上的InGaN纳米柱，所述的光阴极结构从上至下依次为衬底、生长在衬底上的InGaN纳米柱；本发明使用石墨烯不仅拓宽了衬底的选择范围，同时可以充当导电电极使用，降低了成本；石墨烯还能与纳米柱之间的形成肖特基势垒，有利于分离光生载流子，增强载流子输运性能，大幅度提高纳米柱的光电性能；同时石墨烯的透光性能够制备

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112760668 B (45)授权公告日 2022.05.24 (21)申请号 202011562286.4 C25B 1/55 (2021.01)

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