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- 2023-06-06 发布于四川
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本申请实施例提供一种栅控二极管，其包括衬底、层叠于衬底上的栅极、栅极绝缘层、第一二维半导体层、第二二维半导体层、源极和与源极间隔设置的漏极；栅极嵌设于衬底的表面，栅极绝缘层覆盖衬底设有栅极的表面；第一二维半导体层层叠于栅极绝缘层上，第二二维半导体层部分层叠于栅极绝缘层上，另一部分层叠第一二维半导体层上，第二二维半导体层与第一二维半导体层层叠的部分形成异质结，异质结在基底的正投影位于栅极在基底层的正投影内；源极与第二二维半导体层电导通且与第一二维半导体层绝缘，漏极与第一二维半导体层电导通与第二二维
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112805837 B
(45)授权公告日 2022.04.12
(21)申请号 201880098167.2 (72)发明人 李伟
(22)申请日 2018.09.30
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