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SOI晶圆键合质量检测方法及系统.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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SOI晶圆键合质量检测方法及系统.pdf

    本发明提供了一种SOI晶圆键合质量检测方法及系统，检测方法包括如下步骤：提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆包括依次叠置的第一硅层、第一二氧化硅层和第一键合金属层，第二晶圆包括依次叠置的第二硅层、第二二氧化硅层和第二键合金属层，第一晶圆和第二晶圆通过第一键合金属层与第二键合金属层相互键合以形成测试结构；对测试结构进行电容电压测试，得到测试结构的电容电压测试曲线，并根据电容电压测试曲线表征测试结构的键合质量。本发明针对低温键合SOI晶圆界面的质量评估需求，通过对测试结构进行电容电压测试，实现了对SOI

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768367 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202110158176.X (22)申请日 2021.02.04 (71)申请人 微龛（广州）半导体有限公司

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