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一种氢硼聚变靶膜及其制备方法与应用.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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一种氢硼聚变靶膜及其制备方法与应用.pdf

    本发明涉及膜材料制备技术，具体公开了一种氢硼聚变靶膜及其制备方法与应用，所述制备方法具体为：先于基底上制备一层300nm～1000nm厚、粗糙度在1nm以内的二氧化硅薄膜，再于该二氧化硅薄膜上制备一层30nm～50nm厚、粗糙度在1nm以内的金膜，而后在该金膜上采用高温工艺制备纳米级超薄硼膜，最后经脱膜处理溶解所述二氧化硅薄膜，获得金膜和硼膜的结合物，即得所述氢硼聚变靶膜。采用本发明所述制备方法制备的靶膜均匀性、平整度、致密度和环境稳定性优异，利于削弱衬底和硼膜本身对信号分析的影响；且由于金膜衬

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112795921 B (45)授权公告日 2022.06.28 (21)申请号 201911110110.2 G21B 1/19 (2006.01) (22)申请日 2019.11.

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