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一种多焦点激光并行直写密排纳米结构的光刻曝光系统及方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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一种多焦点激光并行直写密排纳米结构的光刻曝光系统及方法.pdf

    本发明提出一种多焦点激光并行直写密排纳米结构的光刻曝光系统，包括激光器、空间光调制器、位相调制器、透镜组、物镜、衬底、位移台和上位机，其中衬底上表面涂覆设置有光刻胶，衬底放置在位移台上；上位机分别与空间光调制器、位相调制器和位移台连接；上位机中预设有空间振幅分布设计，并根据预设的空间振幅分布设计控制空间光调制器中产生目标多焦点阵列分布光束；上位机中预设有三维空间扫描轨迹，上位机根据其预设的三维空间扫描轨迹控制位移台的移动，使多焦点阵列分布光束对光刻胶进行扫描曝光，得到密集排列的纳米结构。本发明还

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112764320 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202011488606.6 (22)申请日 2020.12.16 (71)申请人 暨南大学 地址 51

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