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半导体结构的形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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半导体结构的形成方法.pdf

    本发明提供了一种半导体结构的形成方法，涉及半导体加工的技术领域，所述半导体结构的形成方法包括以下步骤：S1.在半导体结构的上表面上形成掩模结构，并经过刻蚀，在掩模结构上形成开口；S2.通过所述开口，利用刻蚀等离子气体刻蚀掩模结构底部的半导体结构，形成上沟槽结构，在刻蚀形成的上沟槽结构的底部边沿区域和侧壁形成有有机物残余物；S3.刻蚀上沟槽结构的底部，形成下沟槽结构；其中，下沟槽结构的宽度小于上沟槽结构的宽度；S4.在上沟槽结构和下沟槽结构进行离子注入，形成高阻区。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112768574 B (45)授权公告日 2021.06.18 (21)申请号 202110376774.4 H01L 33/14 (2010.01) (22)申请日

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