原创力文档- 7
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- 2023-06-06 发布于四川
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本发明的目的在于，提供：为低氧量、高强度的大型氮化镓系烧结体和用于得到通过掺杂剂成为n型、或p型半导体的高结晶氮化镓薄膜的低氧量、含掺杂剂的大型氮化镓系烧结体以及其制造方法。提供一种氮化镓系烧结体，其特征在于，氧含量为1原子％以下，平均粒径(D50)为1μm以上且150μm以下。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112805263 A
(43)申请公布日 2021.05.14
(21)申请号 201980066557.6 (74)专利代理机构 北京林达刘知识产权代理事
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