1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

适用于透射电镜表征的双温区密封腔芯片及其制作方法.pdfVIP

  • 4
  • 0
  • 约1.75万字
  • 约 14页
  • 2023-06-07 发布于四川
  • 举报

适用于透射电镜表征的双温区密封腔芯片及其制作方法.pdf

    本发明公开一种适用于透射电镜表征的双温区密封腔芯片及其制作方法，包含基板芯片与顶板芯片，基板芯片包括：硅片基底，沉积在基底上下表面的介质层，沉积在上表面介质层上的接触电极、加热电极和隔离层，刻蚀在加热电极间介质层上的观察窗口，基底下表面镂空区覆盖观察窗口；顶板芯片包括：硅片基底，沉积在基底上下表面的介质层，沉积在上表面介质层上方的接触电极、加热电极和隔离层，刻蚀在加热电极间介质层上的观察窗口，基底下表面镂空区覆盖观察窗口。将用于观察的样品根据需求置于顶板芯片的加热电极区和基板的加热电极区。将顶板

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112837984 A (43)申请公布日 2021.05.25 (21)申请号 202110011404.0 (22)申请日 2021.01.06 (71)申请人 东南

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >