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一种高热导率低电阻率氮化硅陶瓷的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-07 发布于四川
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一种高热导率低电阻率氮化硅陶瓷的制备方法.pdf

    本发明提供了一种高热导率低电阻率氮化硅陶瓷的制备方法，将40～71wt％的氮化硅粉体、25～50wt％的二氧化钛、4～10wt％的烧结助剂和氮化硅粉体重量0～2％的有机碳源均匀混合、干燥、过筛后压制成型，得到陶瓷素坯；将陶瓷素坯在400～900℃焙烧处理0.5～2小时；在1450～1650℃保温处理2～4h后升温至1850～1950℃气压烧结0.5～12小时，得到氮化硅陶瓷。本发明的技术方案工艺简单稳定，条件易于控制，可得到力学性能优异，具有低电阻率的高热导率氮化硅陶瓷。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116217239 A (43)申请公布日 2023.06.06 (21)申请号 202310284174.4 (22)申请日 2023.03.22 (71)申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 地址

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