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- 2023-06-07 发布于四川
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本发明提供一种用于半导体电流密度反演的磁场测试装置，包括磁场测试组件和压接组件；所述压接组件压接被测半导体芯片；所述磁场测试组件对压接的被测半导体芯片进行磁场强度测定，从而解决现有大功率压接式半导体器件通常为圆饼状或者方形封装的密封结构，受限于这种密封结构，难以探测到内部的电流密度分布情况的问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112834894 B
(45)授权公告日 2022.06.28
(21)申请号 202110017165.X G01R 33/02 (2006.01)
(22)申请日 2021.01
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