1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种制造上下结构SGT的工艺方法.pdfVIP

  • 13
  • 0
  • 约1.12万字
  • 约 12页
  • 2023-06-07 发布于四川
  • 举报

一种制造上下结构SGT的工艺方法.pdf

    本发明涉及一种制造上下结构SGT的工艺方法，包括以下制造步骤：第一步、在半导体衬底上做第一沟槽刻蚀，首先在半导体衬底上做上部半深度沟槽刻蚀，生长栅氧化层，堆积和沉淀硬质掩蔽层，然后做下部半深度沟槽刻蚀，淀积并回刻形成下部及底部栅氧化层，填充多晶硅并回刻，形成背靠上述硬质掩蔽层的底部栅极多晶硅；第二步、做第二沟槽刻蚀，在上述第一步回刻形成的上部半深度沟槽侧壁硬质掩蔽层、底部栅极多晶硅之上沉积栅氧化层，填充多晶硅并回刻，形成上部源极多晶硅。有益效果是栅氧化层沟道长度相同、有效防止栅级多晶硅氧化、沟槽

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112838000 A (43)申请公布日 2021.05.25 (21)申请号 202110017974.0 (22)申请日 2021.01.07 (71)申请人 深圳

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >