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- 2023-06-07 发布于四川
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本发明涉及一种半导体器件，尤其是一种基于碳化硅平面型MOS结构的肖特基二极管。按照本发明提供的技术方案，所述基于碳化硅平面型MOS结构的肖特基二极管，在所述肖特基二极管的截面上，包括半导体衬底以及设置于所述半导体衬底上的P型阱区，在所述P型阱区的一侧设置负极区结构，在所述P型阱区的另一侧设置正极区结构，且P型阱区与位于所述P型阱区上的栅结构区接触，在所述栅结构区上设置栅极金属，所述栅极金属与栅结构区欧姆接触。本发明有效地降低该半导体器件的开关损耗和提高其开关速度，还可以实现MOS栅沟道控制肖特基
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112838131 B
(45)授权公告日 2022.02.11
(21)申请号 202110025615.X H01L 29/06 (2006.01)
(22)申请日
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