整合肖特基功率MOSFET及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-08 发布于四川
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整合肖特基功率MOSFET及其制造方法.pdf

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本发明公开了一种整合肖特基功率MOSFET，各MOSFET器件单元结构的沟槽中形成有屏蔽导电材料层和栅极导电材料层；肖特基二极管的形成区域整合在对应的两个沟槽之间；在各MOSFET器件单元结构的形成区域中，沟槽之间的第一外延层表面形成有沟道区和源区；在肖特基二极管的形成区域中，第一外延层的表面未形成沟道区和源区，第一外延层顶部直接通过接触孔连接到源极且接触孔和第一外延层相接触形成肖特基二极管。本发明还公开了一种整合肖特基功率MOSFET的制造方法。本发明能大幅度降低漂移区的导通电阻的同时，缩短器

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112864245 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 20191