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2023-06-08 发布于四川
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超结器件.pdf

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本发明公开了一种超结器件，在电荷流动区中，超结器件至少包括第一原胞，第一原胞包括：位于第一导电类型柱的顶部区域中且和第二导电类型柱具有间距的第一沟道区。第一栅极结构覆盖第一沟道区，源区形成于第一沟道区的表面，源区的顶部通过穿过层间膜的接触孔连接到由正面金属层组成的源极，第二导电类型柱的顶部未连接电极而在超结器件动态工作时呈浮置结构。本发明能增加器件的栅漏电容，能有效降低器件在应用电路中的电磁干扰以及有效降低器件在应用电路中带来的电流和电压的过冲。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112864244 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 20191