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制造半导体元件的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-08 发布于四川
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制造半导体元件的方法.pdf

    本文揭示一种制造半导体元件的方法。方法包括在基板的经图案化表面上形成第一平坦化材料的第一层，在第一平坦化层上形成第二平坦化材料的第二层，交联第一平坦化材料的一部分及第二平坦化材料的一部分，并移除第二平坦化材料中未经交联的一部分。在一实施例中，方法进一步包括在移除第二平坦化材料中未经交联的部分之后，在第二平坦化材料上形成第三平坦化材料的第三层。第三平坦化材料可包括底部抗反射涂膜或旋涂碳，及酸或酸产生剂。第一平坦化材料可包括旋涂碳及酸、热酸产生剂或光酸产生剂。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112864002 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 202010788008.4 (22)申请日 2020.08.07 (30)优先权数据 16/697,98

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