半导体功率器件.pdfVIP

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2023-06-08 发布于四川
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半导体功率器件.pdf

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本发明实施例提供的一种半导体功率器件，包括位于n型漂移区顶部的至少一个p型体区，位于所述p型体区内的第一n型源区和第二n型源区；用于控制所述第一n型源区与所述n型漂移区之间的第一电流沟道的开启和关断的第一栅极结构；用于控制所述第二n型源区与所述n型漂移区之间的第二电流沟道的开启和关断的第二栅极结构，所述第二栅极结构凹陷在所述n型漂移区内。本发明实施例的半导体功率器件芯片尺寸小且具有快的反向恢复速度。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112864222 B (45)授权公告日 2022.04.12 (21)申请号 201911184108.X (51)Int.Cl.