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2023-06-08 发布于四川
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本发明实施例提供的一种超结功率器件，包括至少一个第一MOSFET单元和至少一个第二MOSFET单元，第一MOSFET单元在超结功率器件开启和关断时具有不同的阈值电压，超结功率器件在反向导通时，反向电流可以流过第一MOSFET单元，这提高了超结功率器件的反向恢复速度；第二MOSFET单元相较于第一MOSFET单元具有更短的电流沟道，可以有效控制超结功率器件的芯片尺寸。本发明实施例的超结功率器件在具有快的反向恢复速度的同时还具有小的芯片尺寸。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112864150 B (45)授权公告日 2022.04.15 (21)申请号 201911184109.4 (51)Int.Cl.