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本发明提供一种用于卷积运算的存储电路以及存储系统，存储阵列包括多个子区域，子区域中的对角位置的非易失性存储器的栅极分别由电连线连接至选通器件，由选通器件控制对角线上的非易失性存储器的选通状态，这样，可以通过直接选通子区域中对角线上的非易失性存储器，实现输入信号与多对角稀疏矩阵的运算，该运算可以应用至卷积运算中，尤其是适用于输入信号与多个不同的卷积核的卷积运算，有利于提高存储资源的利用率以及电路的整体运算能力。与现有技术相比，相同的运算能力下，具有更小的矩阵规模。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112836171 A
(43)申请公布日 2021.05.25
(21)申请号 202110223214.5
(22)申请日 2021.03.03
(71)申请人 上海芯山半导体有限公司
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