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《模拟电子技术基础》习题 (3)--第1页 《模拟电子技术基础》习题 一、计算题 1、如图所示是一个基本共射极放大电路，设晶体管 β=100 ，UBE =0.2V ，rbe =1.44kΩ ，R =470KΩ，R =3KΩ，R =3KΩ，V =10V 。 B C L CC （1）该电路是共射还是共集电路？（2 分） （1）画出放大电路的直流通路，并且估算静态工作点I 、I 和U ；（8 分） BQ CQ CEQ （2 ）画出放大电路微变等效电路，求电压放大倍数A 、输入电阻R 、输出电阻 u i R ；（10 分） O 二、选择题（） 1、P 型半导体中多数载流子是________，少数载流子是________。 A、自由电子 正离子 B、空穴 负离子 C、空穴 自由电子 D、自由电子 空穴 2、半导体三极管是一种________器件。 A、电流控制电流 B、电流控制电压 C、电压控制电压 D、电压控制电流 3、当二极管两端正向偏置电压大于________时，二极管才能导通。 A、反向击穿电压 B、饱和电压 C、正向导通压降 D、门坎电压 4、如图所示电路中，二极管D 所处的状态是________。 A、击穿状态 B、截止状态 C、导通状态 D、无法确定 5、二极管电路如图所示，二极管D1 和D2 的工作状态是________。 A、D1、D2 均截止 B、D1、D2 均导通 C、D1 导通、D2 截止 D、D2 导通、D1 截止 - 1 - 《模拟电子技术基础》习题 (3)--第1页 《模拟电子技术基础》习题 (3)--第2页 6、杂质半导体中，少子的浓度与________有关。 A、晶体缺陷 B、掺杂工艺 C、杂质浓度 D、温度 7 、某 放 大 电路 中, 晶体 管 三 个 电极 的 电流 如 图所 示 ，测 出 I 1.2mA, I 0.02mA, I 1.22mA，由此可知对应电极②是________。 1 2 3 A、发射极 B、基极 C、集电极 D、不能确定 8、测量三极管三个电极对地电位如图所示，则三极管的工作状态为________。 A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、击穿状态 9、两个稳压二极管的稳压值分别为7V 和 9V，将它们组成如图所示电路，设输 入电压 U 值是20V，则输出电压 U 为________。 1 0 A、7V B、9V C、0V D、8V 10、晶体管具有放大作用的外部条件是________。 A、发射结正偏，集电结正偏 B、发射结反偏，集电结反偏 C、发射结反偏，集电结正偏 D、发射结正偏，集电结反偏 11、测量放大电路某三极管的各电极电位为 6V、11.3V、12V，则此三极管为 ________。 A、PNP 锗三极管 B、PNP 硅三极管 C、NPN 锗三极管 D、NPN 硅三极管 12、电路符号如图所示，它是________。