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一种导模法生长氧化镓晶体的生长装置与生长方法.pdfVIP

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  • 2023-06-08 发布于四川
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一种导模法生长氧化镓晶体的生长装置与生长方法.pdf

    本发明提供了一种导模法生长氧化镓晶体的生长装置与生长方法，生长装置包括：(1)本体，本体包括热场结构，热场结构用于保温形成热场，热场结构由至少一层保温层层叠而成，保温层由若干块子保温层拼接而成，所述若干块为两块以上的自然数；所述热场结构的中心沿轴向方向设置有贯穿上下端面的通孔；(2)密封层，所述密封层设置在所述本体外围。本发明的热场结构采用了多块分层、且多块子母扣拼接的方式，有效的释放高温下热应力，避免了不受控开裂；本发明还采用透明且耐高温材质的密封层对整体结构进行密封，确保了氧化镓晶体生长所需

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112877770 A (43)申请公布日 2021.06.01 (21)申请号 202110141979.4 (22)申请日 2021.02.02 (71)申请人 杭州富加镓业科技有限公司

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