原创力文档- 4
- 0
- 约1.11万字
- 约 9页
- 2023-06-08 发布于四川
- 举报
本申请涉及一种低层错能面心立方结构高熵形状记忆合金及其制备方法，所述合金的组成元素及原子百分数为：28％～32％Mn，8％～12％Cr，9％～12％Si，余量为Fe和不可避免的杂质元素；其中，所述合金中Mn、Cr、Si的总原子百分数不低于50％；所述合金中Fe和Mn的原子百分数之比不低于1.5；所述制备方法包括感应熔炼、均匀化退火处理、热轧处理及固溶处理步骤，其中所述固溶处理过程是在氩气保护下经1000～1100℃保温1～2h后水冷淬火。本申请提供的高熵形状记忆合金的原料成本低，易于制备和加工，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112853230 B
(45)授权公告日 2022.03.18
(21)申请号 202110023664.X C22C 30/00 (2006.01)
文档评论（0）