SGTMOSFET器件及制造方法.pdfVIP

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2023-06-08 发布于四川
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本发明公开了一种SGTMOSFET器件，栅极结构的底部氧化层和源多晶硅位于栅极沟槽的底部，底部氧化层的厚度满足150V以上耐压，栅极沟槽的顶部填充有全部采用CVD沉积形成的顶部氧化层，多晶硅栅形成在对顶部氧化层进行刻蚀形成的顶部子沟槽中，顶部子沟槽的宽度满足对多晶硅栅进行填充的需要，且顶部子沟槽的两侧面的深度相同时多晶硅栅的两侧面的深度相同。本发明还提供一种SGTMOSFET器件的制造方法。本发明能在保证底部氧化层实现150V以上的耐压条件下，采用左右结构的多晶硅栅从而能使多晶硅栅的宽度能实现多

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112864248 A (43)申请公布日 2021.05.28 (21)申请号 20191