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一种气相沉积设备.pdfVIP

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  • 2023-06-08 发布于四川
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一种气相沉积设备.pdf

    本发明总的来说涉及半导体制造技术领域，提出一种气相沉积设备，包括：腔体，其内布置衬底；第一进气口，其中主工艺气体被配置为自所述第一进气口进入所述腔体，并且平行与所述衬底自所述衬底的第一侧流向第二侧；第二进气口，其中辅助气体被配置为自所述第二进气口进入所述腔体；第一排气口，其中所述第一排气口被配置为将所述主工艺气体排出；以及第二排气口，其中所述第二排气口被配置为将所述辅助气体排出。本发明通过对排气口进行质量流量控制来进行强制层流控制，因此当由于界面层控制以及其他工艺需求向水平层流中注入额外的气流时

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116219405 A (43)申请公布日 2023.06.06 (21)申请号 202310077393.5 (22)申请日 2023.01.19 (71)申请人 上海埃延半导体有限公司 地址 2

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