半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-06-09 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

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本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成衬底，衬底内部具有多个电容触点，衬底表面具有与多个电容触点一一对应连接的多个导电接触垫，相邻导电接触垫之间具有间隙；形成填充满间隙的填充层；形成叠层结构于填充层和导电接触垫表面，叠层结构包括沿垂直于衬底的方向叠置的若干支撑层，填充层与位于叠层结构底部的一层支撑层接触，且填充层和与其接触的支撑层之间的刻蚀选择比大于预设值；刻蚀叠层结构，形成电容孔。本发明避免了在刻蚀叠层结构形成电容孔的过程中易造成相邻电容接触垫之间过刻

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112908936 B (45)授权公告日 2023.04.07 (21)申请号 202110110494.9 审查员薛源 (22)申请日 2021.01.27