管式炉及半导体掺杂膜层制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-09 发布于四川
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本发明提供一种管式炉,其包括:炉管工艺腔;成膜气体装置,与所述炉管工艺腔连通,用于向所述炉管工艺腔中提供成膜反应气体。等离子体装置,与所述炉管工艺腔连通,用于向所述炉管工艺腔中提供等离子体。本发明的优点在于,管式炉能够进行成膜反应及等离子体掺杂反应,避免了半导体结构的转移,节省了等待时间,大大提高生产效率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112908835 A (43)申请公布日 2021.06.04 (21)申请号 202110289798.6 (22)申请日 2021.03.18 (71)申请人 长江存储科技有限责任公司

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