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本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种横向功率器件。本发明主要特征在于：漂移区表面的场板结构采用凸出形状，优化漂移区长度。正向导通时，栅结构与场板结构下方的漂移区表面产生连续的电子积累层，形成积累型输运模式，以降低器件比导通电阻；反向阻断时，场板结构中反偏的PN结承受耐压，且场板结构不仅能辅助耗尽漂移区以提高漂移区掺杂浓度而降低器件比导通电阻，还能调制横向电场分布以提高耐压。相对传统LDMOS，本发明实现高耐压的同时具有更低的比导通电阻。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112909081 B
(45)授权公告日 2022.05.17
(21)申请号 202110175348.4 H01L 29/423 (2006.01)
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